200I PRO热/DDR仿真说明:

目前提供的仿真模型包含两个，SOC热仿真模型、SI仿真模型。

由于SOC没有如下参数：1、PN结到封装外壳的热阻。2、PN结到单板的热阻。3、PN结到环境的热阻。在做热仿真时直接使用所提供的热仿真模型，使用Flotherm打开。

DDR模型只有一个PIN，是因为高速DDR我们不会用RLC寄生仿真。DDR仿真使用压缩包pkg_model（封装的走线参数）配合LPDDR.ibs仿真使用。