DDR颗粒初始化失败问题定位
C12 R2 S800 M1,R11600：
开机进DDRSHELL调试口，读取寄存器：
RANK0：oem ddrtest read_addr_allchn 0x021C/oem ddrtest read_addr_allchn 0x029C
RANK1：oem ddrtest read_addr_allchn 0x061C/oem ddrtest read_addr_allchn 0x069C
C2 R2 S800 M1,R20705：
开机进DDRSHELL调试口，读取寄存器：
RANK0：oem ddrtest read_addr_allchn 0x0210/oem ddrtest read_addr_allchn 0x0290
RANK1：oem ddrtest read_addr_allchn 0x0610/oem ddrtest read_addr_allchn 0x0690
注：21C指示Rank0的DQ0-DQ7，29C指示Rank0的DQ8-15。
背景：310P 双P EP卡 上电后npu-smi无法使用，板卡未正常启动，接串口发现DDR初始化异常，个别通道报错误码。
单板主从打印如下：
注：C0、C1、C2指示具体的DDR通道，R后面是rank数目，S后面是单通道容量，单位MB，正常通道打印R36666。
如所示为：双通道DDR，单通道容量为1000MB，主片通道13、21异常，从片通道10、13异常。
进DDR SHELL执行0X600类型的指令读取寄存器，即：
RANK0：oem ddrtest read_addr_allchn 0x021C/oem ddrtest read_addr_allchn 0x029C
RANK1：oem ddrtest read_addr_allchn 0x061C/oem ddrtest read_addr_allchn 0x069C
检查回显21C/29C这行是否临界FF或与正常板差异很大，29C回显异常，主片异常通道回显如下：
chn:0xd，chn:0x15指示13、21通道
看前两组数据，每两位指示一个DQ，如图所示：
方法一：根据上图所示，对比异常DQ值，多数为ff则72/66异常（若多数为数字，少数为ff，则ff异常），即DQ12/DQ15异常
方法二：根据第三组数据的前四位，3cff转换成二进制为：0011 1100 1111 1111 从左往右依次为DQ15-DQ8，即DQ12/DQ15异常。
两种方法对照看，确定具体的异常DQ。
同样的：
方法一：根据上图所示，对比异常DQ值，多数为ff则60/66/5a异常（若多数为数字，少数为ff，则ff异常），即DQ10/DQ12/DQ13异常
方法二：根据第三组数据的前四位，f0cf转换成二进制为：1111 0000 1100 1111 从左往右依次为DQ15-DQ8，即DQ10/DQ12/DQ13异常。
检查回显21C/29C这行是否临界FF或与正常板差异很大，29C回显异常，从片回显如下：
注：21C指示Rank0的DQ0-DQ7，29C指示Rank0的DQ8-15。chn:0xa,chn0xd指示10、13通道
看前两组数据，每两位指示一个DQ，如图所示：
029C寄存器的值全FF溢出，判断是DQS/DMI信号网络有问题
同样的：
方法一：根据上图所示，对比异常DQ值，多数为ff则72/66异常（若多数为数字，少数为ff，则ff异常），即DQ12/DQ14/DQ15异常
方法二：根据第三组数据的前四位，f0c转换成二进制为：1100 1111 1111，不足16位，前边补0。即：0000 1100 1111 1111 从左往右依次为DQ15-DQ8，即DQ12/DQ14/DQ15异常。
综上所述该板卡的主片，chn13的DQ12/DQ15、chn21的DQ10/DQ12/DQ13异常，从片chn10的DQS/DMI信号网络异常，chn13的DQ12/DQ14/DQ15异常。
确定具体的NPU管脚后先照CT，最后染色后冷拔确定焊接情况。
X-ray图：
CT图：
确定具体的pin脚后，照对应pin脚的X-RAY和CT。
磨片图：
由于存在污染物或者温度太低导致上下锡球无法融合导致HNP开焊。
冷拔图：
冷拔是通过物理应力强行将NPU从PCB上拔下来，焊接正常的焊点拔下来就有两种情况，一种是锡完全没有留下来，直接露出铜皮。一种是锡完全留下来，留下来的锡面积较大，可以填充整个焊盘。异常的即上边各图所示，残留一部分锡在焊盘上。
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DDR颗粒初始化失败问题定位
C12 R2 S800 M1,R11600：
开机进DDRSHELL调试口，读取寄存器：
RANK0：oem ddrtest read_addr_allchn 0x021C/oem ddrtest read_addr_allchn 0x029C
RANK1：oem ddrtest read_addr_allchn 0x061C/oem ddrtest read_addr_allchn 0x069C
C2 R2 S800 M1,R20705：
开机进DDRSHELL调试口，读取寄存器：
RANK0：oem ddrtest read_addr_allchn 0x0210/oem ddrtest read_addr_allchn 0x0290
RANK1：oem ddrtest read_addr_allchn 0x0610/oem ddrtest read_addr_allchn 0x0690
注：21C指示Rank0的DQ0-DQ7，29C指示Rank0的DQ8-15。
背景：310P 双P EP卡 上电后npu-smi无法使用，板卡未正常启动，接串口发现DDR初始化异常，个别通道报错误码。
单板主从打印如下：
注：C0、C1、C2指示具体的DDR通道，R后面是rank数目，S后面是单通道容量，单位MB，正常通道打印R36666。
如所示为：双通道DDR，单通道容量为1000MB，主片通道13、21异常，从片通道10、13异常。
进DDR SHELL执行0X600类型的指令读取寄存器，即：
RANK0：oem ddrtest read_addr_allchn 0x021C/oem ddrtest read_addr_allchn 0x029C
RANK1：oem ddrtest read_addr_allchn 0x061C/oem ddrtest read_addr_allchn 0x069C
检查回显21C/29C这行是否临界FF或与正常板差异很大，29C回显异常，主片异常通道回显如下：
chn:0xd，chn:0x15指示13、21通道
看前两组数据，每两位指示一个DQ，如图所示：
方法一：根据上图所示，对比异常DQ值，多数为ff则72/66异常（若多数为数字，少数为ff，则ff异常），即DQ12/DQ15异常
方法二：根据第三组数据的前四位，3cff转换成二进制为：0011 1100 1111 1111 从左往右依次为DQ15-DQ8，即DQ12/DQ15异常。
两种方法对照看，确定具体的异常DQ。
同样的：
方法一：根据上图所示，对比异常DQ值，多数为ff则60/66/5a异常（若多数为数字，少数为ff，则ff异常），即DQ10/DQ12/DQ13异常
方法二：根据第三组数据的前四位，f0cf转换成二进制为：1111 0000 1100 1111 从左往右依次为DQ15-DQ8，即DQ10/DQ12/DQ13异常。
检查回显21C/29C这行是否临界FF或与正常板差异很大，29C回显异常，从片回显如下：
注：21C指示Rank0的DQ0-DQ7，29C指示Rank0的DQ8-15。chn:0xa,chn0xd指示10、13通道
看前两组数据，每两位指示一个DQ，如图所示：
029C寄存器的值全FF溢出，判断是DQS/DMI信号网络有问题
同样的：
方法一：根据上图所示，对比异常DQ值，多数为ff则72/66异常（若多数为数字，少数为ff，则ff异常），即DQ12/DQ14/DQ15异常
方法二：根据第三组数据的前四位，f0c转换成二进制为：1100 1111 1111，不足16位，前边补0。即：0000 1100 1111 1111 从左往右依次为DQ15-DQ8，即DQ12/DQ14/DQ15异常。
综上所述该板卡的主片，chn13的DQ12/DQ15、chn21的DQ10/DQ12/DQ13异常，从片chn10的DQS/DMI信号网络异常，chn13的DQ12/DQ14/DQ15异常。
确定具体的NPU管脚后先照CT，最后染色后冷拔确定焊接情况。
X-ray图：
CT图：
确定具体的pin脚后，照对应pin脚的X-RAY和CT。
磨片图：
由于存在污染物或者温度太低导致上下锡球无法融合导致HNP开焊。
冷拔图：
冷拔是通过物理应力强行将NPU从PCB上拔下来，焊接正常的焊点拔下来就有两种情况，一种是锡完全没有留下来，直接露出铜皮。一种是锡完全留下来，留下来的锡面积较大，可以填充整个焊盘。异常的即上边各图所示，残留一部分锡在焊盘上。